非晶硅与低温多晶硅的区别

发布者: 发布时间:2009/6/5 9:44:12 阅读:次 【字体:

  硅业在线5月20日消息 据中国太阳能网报道,低温多晶硅LTPS是Low Temperature Ploy Silicon的缩写,一般情况下低温多晶硅的制程温度应低于摄氏600度,尤其对LTPS区别于a-Si制造的制造程序“激光退火”(laser anneal)要求更是如此。与a-Si相比,LTPS的电子移动速度要比a-Si快100倍,这个特点可以解释两个问题:首先,每个LTPS PANEL都比a-Si PANEL反应速度快;其次,LTPS PANEL外观尺寸都比a-Si PANEL小。下面是LTPS与a-Si相比所持有的显著优点:1、把驱动IC的外围电路集成到面板基板上的可行性更强;2、反应速度更快,外观尺寸更小,联结和组件更少;3、面板系统设计更简单;4、面板的稳定性更强;5、解析度更高,

  激光退火:

  p-Si与a-Si的显著区别是LTPS TFT在制造过程中应用了激光照射。LTPS制造过程中在a-Si层上进行了激光照射以使a-Si结晶。由于封装过程中要在基板上完成多晶硅的转化,LTPS必须利用激光的能量把非结晶硅转化成多晶硅,这个过程叫做激光照射。

  电子移动性:

  a-Si TFT的电子移动速率低于1 cm2/V.sec,同时驱动IC需要较高的运算速率来驱动电路。这就是为什么a-Si TFT不易将驱动IC集成到基板上。相比之下,p-Si电子的移动速率可以达到100 cm2/V.sec,同时也更容易将驱动IC集成到基板上。结果是,首先由于将驱动IC、PCB和联结器集成到基板上而降低了生产成本,其次使产品重量更轻、厚度更薄。

  解析度:

  由于p-Si TFT比传统的a-Si小,所以解析度可以更高。

  稳定性:

  p-Si TFT的驱动IC合成在玻璃基板上有两点好处:首先,与玻璃基板相连接的连接器数量减少,模块的制造成本降低;其次,模块的稳定性将得以戏剧性的升高。

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